Samsung entwickelt einen neuen nichtflüchtigen Speichertyp. Der Resistive Random Access Memory (RRAM) soll stromsparender und um ein Vielfaches schneller sein als aktuelle Flashspeicher - und sogar als Arbeitsspeicher taugen.

Von Golem.de:

Samsungs Ingenieure arbeiten an einem neuen Flashspeicher, dem Resistive Random Access Memory (RRAM). Der nichtflüchtige Speicher basiert nicht auf Silizium, sondern auf einem Oxyd mit der Bezeichnung TaOx. Material und Struktur des demonstrierten asynchronen, passiven Schaltgeräts sollen zu einer drastischen Reduktion des Stromverbrauchs, extremer Haltbarkeit und einer hohen Schaltgeschwindigkeit von 10 ns sogar als Arbeitsspeicher dienen können.

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